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metal gate 好處
2007年12月24日—high-k/metalgate技術預計可在2009-2010年達到32nm世代的量產化,如圖一所示,藉此技術的增進得以降低元件的驅動電流並抑制漏電流,使32nm以下大型積體 ...,2007年7月31日—...金屬閘極(MetalGate),Intel於2003年提出以金屬閘極取代複晶矽以改善電極...
使用金屬閘極或多晶矽閘極在HfSiON 絕緣層上之元件電性研究
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而使用金屬閘極(Metalgate)搭配高介電係數介.電層可抑制其發生[7]。另一方面,當元件微縮時,等效氧化層厚度越薄,其多晶矽空乏效應將越來越嚴.
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